»
»
Промышленная инновация: Загрузка...
Промышленная инновация
№ 66-088-22

Способ получения пленок твердых растворов замещения CdPbS методом ионообменной трансформации пленок CdS

12.10.2022

Пленки твердых растворов замещения CdPbS находят широкое применение в различных областях оптоэлектроники, в том числе в конструкциях фоторезисторов для ближнего ИК-диапазона, отличающихся высоким быстродействием и чувствительностью, лазерной техники, а также в областях сенсорной аналитики и гелиоэнергетики. Сущность предлагаемого метода состоит в применении для получения пленок CdxPb1−xS способа ионообменной трансформации пленок CdS, позволяющего повысить содержание кадмия в составе твердого раствора за счет обработки предварительно полученных пленок сульфида кадмия (II) в водном растворе ацетата свинца (II), а также гомогенизации их с применением последующей термической обработки. Изобретение обеспечивает возможность повысить содержание кадмия в составе твердого раствора CdPbS и, кроме того, добиться получения однородных по составу пленок.
ГРНТИ
31.15.19 Химия твердого тела
31.15.35 Поверхностные явления. Адсорбция. Хроматография. Ионный обмен
31.15.37 Химия коллоидов. Дисперсные системы
Детали

Отрасль ТЭК
Не указано
Критически значимая технология
Опто-, радио- и акустоэлектроника, оптическая и сверхвысокочастотная связь, пятый технологический уклад.
Инновационность
Отсутствует
Эффект от внедрения
Повышение уровня рентабельности на 15 - 20 %.
Филиал РЭА
Свердловский ЦНТИ - филиал ФГБУ «РЭА» Минэнерго России
Владелец
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "УРАЛЬСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ПЕРВОГО ПРЕЗИДЕНТА РОССИИ Б.Н. ЕЛЬЦИНА"
Похожие документы
Состав, структура, функциональные свойства пленок твердых растворов CdxPb1–xS, химически осажденных с использованием галогенидов кадмия
0.934
Диссертация
Компьютерное моделирование процесса гидрохимического осаждения пленок Pb1-xSnxSe. Синтез образцов пленок Pb1-xSnxSe различного фазового состава. Исследование влияния термической сенсибилизации на фотоэлектрические характеристики пленок Pb1-xSnxSe.
0.932
ИКРБС
Способ получения фоточувствительных пленок твердых растворов Pb1-xSnxSe методом гидрохимического осаждения
0.931
РИД
Способ получения фоточувствительных пленок Pb1-xCdxS
0.931
РИД
Способ синтеза высокочувствительных материалов на основе модифицированного сульфида свинца
0.930
РИД
Компьютерное моделирование процесса гидрохимического осаждения пленок Pb1-xCdxS. Анализ влияния условий синтеза на фазовый состав пленок Pb1-xCdxS. Синтез полупроводниковых пленок Pb1-xCdxS. Изготовление индивидуальных фоточувствительных элементов для опытных образцов ИК-детекторов.
0.928
ИКРБС
Способ получения эпитаксиальных слоев Cd(x)Hg(1-x)Te p-типа проводимости
0.925
РИД
Синтез и свойства тонкопленочных твердых растворов системы CdS–ZnS, легированных ионами меди (серебра), из тиомочевинных координационных соединений
0.921
НИОКТР
Исследование структурных, электрофизических и оптических свойств тонкопленочной системы CdO при взаимодействии с углеродом в состоянии Sp1
0.919
ИКРБС
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОЛЛОИДНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СУЛЬФИДА КАДМИЯ
0.917
РИД