Способ создания МОП-структур

Результат выполнения опытно-конструкторской работы. Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающих формирование подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора на подложке первого типа проводимости, стока и истока второго типа проводимости и маскирующего их оксида кремния, отличается тем, что дополнительно формируется экранирующий слой оксида кремния в местах формирования поликремневых затворов, на который наносят слой маскирующего нитрида кремния. Затем формируют стоки и истоки транзистора и маскирующий их оксид кремния. Затем удаляют слой нитрида кремния и экранирующий слой оксида кремния и формируют подзатворный оксид кремния и поликремниевый затвор, при этом ширина поликремниевого затвора должна быть больше, чем ширина маскирующего нитрида кремния на величину точности совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора. Разработка защищена патентом РФ № 2789188. URL: https://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2789188&TypeFile=html (дата обращения 02.10.2023)