МИС СВЧ на основе GaAs

Результат научно-исследовательской разработки АО "ОКБ-Планета" Полезная модель монолитной интегральной схемы (МИС) на основе GaAs относится к радиотехнике СВЧ и может быть использована для оптимизации конструкции и топологии кристаллов микросхем, повышения эффективности и технологичности их производства при сохранении уровня остальных параметров, преимущественно в верхнем сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн. Техническим результатом полезной модели МИС СВЧ на основе GaAs, работающих в верхнем сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, является эффективное использование площади кристалла при улучшении воспроизводимости электрических параметров, достигаемое без усложнения технологического процесса. Указанный технический результат достигается тем, что конструкция МИС включает в себя подложку из GaAs на которой сформированы СВЧ-тракт в виде полосковой линии, проводники управляющих и согласующих цепей, активные элементы (транзисторы, диоды), пассивные элементы (катушки индуктивностей, резисторы, конденсаторы). Для формирования конденсаторов с большой емкостью, не требующих высокой точности получения номинала, в качестве диэлектрика МДМ структуры используется пленка Si3N4 , что позволяет сохранять их минимальные размеры, а в качестве диэлектрика МДМ структуры конденсаторов малой емкости, требующих высокой точности получения номинала, используется сочетание присутствующих в конструкции пленок SiO2+Si3N4 , делающее площадь обкладок достаточной для сохранения точности изготовления за счет уменьшения влияния технологических отклонений габаритных размеров вследствие рассовмещения, искажения топологического рисунка и краевого подтрава металлизации. Разработка защищена патентом РФ № 230779.