Способ испытаний изделий электронной техники к воздействию тяжелых заряженных частиц космического пространства на основе источника сфокусированного импульсного

Результат выполнения научно-исследовательской разработки. Способ испытаний изделий электронной техники к воздействию тяжелых заряженных частиц космического пространства на основе источника сфокусированного импульсного жесткого фотонного излучения на эффекте обратного комптоновского рассеяния предназначено для исследования радиационной стойкости изделий электронной техники (ИЭТ) к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ). Относится к испытательному оборудованию, в частности к устройствам для проведения испытаний электронной техники (ИЭТ) на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства для космической отросли, конструкторских организаций по проектированию радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют последовательное точечное сканирование полупроводникового кристалла интегральной микросхемы (ИМС) или дискретного полупроводникового прибора (ДПП) импульсным жестким фотонным (рентгеновским) излучением с длительностью импульсов до 5 пс. Энергией электронов 8-12 кэВ и энергией фотонов в импульсе до 500 пДж, что в пересчете в эквивалентные значения линейных передач энергии (ЛПЭ) моделирует воздействие ТЗЧ практически всего спектра галактических космических лучей. Позволяет устранить большинство критических недостатков, присущих методам моделирования с использованием ускорителей ионов, лазерных и синхротронных источников, выявление наиболее чувствительных к одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) областей. При этом в качестве источника импульсного фотонного излучения используется компактный источник остросфокусированного жесткого фотонного (рентгеновского) излучения пикосекундной длительности на эффекте обратного комптоновского рассеяния, содержащий импульсный ускоритель электронов, источник импульсного лазерного излучения, камеру столкновения электронных и лазерных импульсов, фокусирующую рентгеновскую оптику для создания оптического фокуса размером до 10 мкм в плоскости приборного слоя полупроводникового кристалла ИМС или ДПП. Технический результат достигается в устранении недостатков, присущих лазерным методам моделирования воздействия ТЗЧ в изделиях электронной техники за счет использования компактного источника импульсного сфокусированного жесткого фотонного излучения на эффекте обратного комптоновского рассеяния. Обладает узкой направленностью, узким спектральным диапазоном, светимостью излучения, энергией фотонов в импульсе. Возможность достижения требуемого оптического фокуса на мишени достаточными для моделирования треков ТЗЧ в кристаллических структурах ИМС и ДПП в широком диапазоне ЛПЭ. Возможность моделирования одиночных радиационных эффектов без использования дорогостоящих ускорителей ионов и источников синхротронного излучения.