Тонкопленочный резистор и способ его изготовления

Результат выполнения опытно-конструкторской работы. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления тонкоплёночных резисторов. Улучшение эксплуатационных характеристик тонкоплёночных резисторов вследствие минимизации значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности параметров является техническим результатом. Технический результат достигается за счет того, что на поверхности диэлектрической подложки формируют тонкие плёнки методами вакуумного напыления и фотолитографии с последующим отжигом, при этом синтез тонких плёнок производят напылением нихрома Х20Н75Ю, кермета К-20С, алюминия с последующим формированием топологии резистора методами фотолитографии и нанесением на полученную структуру пассивирующего слоя катодным распылением сплавов на основе титана или тантала и дальнейшим высокотемпературным отжигом с целью оксидирования полученных пассивирующих структур и стабилизации параметров тонкоплёночного резистора. Указанный результат достигается напылением на диэлектрическую подложку многослойной тонкоплёночной структуры, состоящей из двух тонких плёнок с противоположными знаками ТКС и контактного проводящего слоя, формировании методами фотолитографии топологии резистора и покрытии их пассивирующем слоем сплава ТЦ БМ-ВД по 14-1-4122-86 ТУ катодным распылением с последующим высокотемпературным отжигом. Реализация предлагаемого изобретения. Диэлектрическая подложка из оксида алюминия проходит операции подготовки поверхности - жидкостная и плазмо-химическая отчистка. С учётом значений сопротивлений напыляются резистивные плёнки нихрома Х20Н75Ю, имеющего положительный ТКС кермета К-20С, имеющего отрицательный ТКС и контактного слоя алюминия по режимам. Далее методом прямой фотолитографии формируется топология тонкоплёночного резистора и производится напыление сплава ТЦ БМ-ВД по режимам. После напыления тонкоплёночные резисторы с нанесенным покрытием помещают в термошкаф и в воздушной среде проводят высокотемпературную обработку при температуре 350°C в течение 6 ч, совмещающую в себе функцию оксидирования защитного слоя и стабилизации резистивной структуры. На завершающем этапе производится «точная» подгонка лазером к расчётным значениям. Временная нестабильность сопротивления резистивных плёнок оценивается выдержкой в печи при температуре 150°С в течении 45 суток. Полученная нестабильность сопротивления составляет 0,2%. Таким образом использование предлагаемого изобретения позволяет улучшить эксплуатационные характеристики резисторов, а именно добиться более низких значений ТКС, не превышающих ±3 1/°C * 10-6, а так же высокой временной стабильности. Разработка защищена патентом РФ № 2844374.