СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗИСТНОЙ МАСКИ С РАСШИРЕННЫМ ДИАПАЗОНОМ РАЗРЕШЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

Изобретение относится к технологии изготовления резистных масок в производстве микросхем, в частности изготовления резистных масок с расширенным диапазоном разрешения изображений, основанного на сочетании формирования в слое позитивного фоторезиста участков резистной маски с разрешением, ограниченным возможностями оптической фотолитографии, и получения элементов резистной маски с наномасштабным разрешением методом избирательного механического удаления слоя позитивного фоторезиста посредством зонда атомно-силового микроскопа. Технический результат предлагаемого изобретения – разработка способа изготовления резистной маски позитивного типа с расширенным диапазоном разрешения изображения, основанного на сочетании менее разнородных операций за счёт снижения на втором этапе доли и изменения функциональной роли использования зонда в качестве средства атомно-силовой микроскопии.