Низкоомный омический контакт к гетероэпитаксиальной структуре на основе нитрида галлия

Полезная модель относится к технологии изготовления низкоомных омических контактов к твердотельным приборам на основе нитрида галлия (GaN).Предложенная полезная модель обеспечивает получение низкоомного омического контакта к нитриду галлия со значением величины удельного переходного сопротивления ~ 0,2 Ом*мм при упрощении технологического процесса его изготовления.Технический результат достигается тем, что в предлагаемом устройстве, включающем последовательные слои титан-кремний-титан-алюминий-никель-золото на гетероэпитаксиальной структуре на основе нитрида галлия, согласно полезной модели, между слоями нитрида галлия и кремния расположен дополнительный слой титана толщиной 5-10 нм.