Интегральный усилитель мощности для диапазона частот 8-12 ГГц

04.07.2016

Интегральная микросхема усилителя мощности предназначена для использования в выходных трактах приемо-передающих модулей различного назначения. Для изготовления применяют НЕМТ технологию на широкозонных гетероструктурах AlGaN/GaN с технологическими нормами 0,3 мкм. Затворы транзисторов формируются при помощи техники электронно-лучевой литографии. Остальные элементы ИМС формируются при помощи техники фотолитографии. Коэффициент усиления по мощности составляет 20 дБ. Уровень мощности при компрессии 1 дБ составляет 5 Вт. Размер кристалла УМ – 1,90x1,76 мм2.

ГРНТИ

49.13.13 Проектирование и конструирование устройств связи

Ключевые слова

УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

HEMT

ГЕТЕРОСТРУКТУРА

Х-ДИАПАЗОН

Детали

НИОКТР

№ 114112170088

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ИМЕНИ В.Г. МОКЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Интегральный малошумящий усилитель для диапазона частот 8-12 ГГц

0.963

РИД

Усилитель мощности для диапазона 42-46 ГГц

0.948

РИД

Монолитно-интегральная схема усилителя мощности Ka-диапазона частот

0.926

РИД