Интегральный малошумящий усилитель для диапазона частот 8-12 ГГц

04.07.2016

Интегральная микросхема малошумящего усилителя предназначена для использования во входных трактах приемо-передающих модулей различного назначения. Для изготовления применяют НЕМТ технологию на широкозонных гетероструктурах AlGaN/GaN с технологическими нормами 0,18 мкм. Затворы транзисторов формируются при помощи техники электронно-лучевой литографии. Остальные элементы ИМС формируются при помощи техники фотолитографии. Коэффициент усиления составляет 20,5 дБ, коэффициент шума менее 3 дБ. Размер кристалла МШУ– 1,9x1,34 мм2.

ГРНТИ

49.13.13 Проектирование и конструирование устройств связи

Ключевые слова

МАЛОШУМЯЩИЙ УСИЛИТЕЛЬ

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

HEMT

ГЕТЕРОСТРУКТУРА

X-ДИАПАЗОН

Детали

НИОКТР

№ 114112170088

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ИМЕНИ В.Г. МОКЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Интегральный усилитель мощности для диапазона частот 8-12 ГГц

0.963

РИД

Усилитель мощности для диапазона 42-46 ГГц

0.932

РИД

Сверхвысокочастотная монолитная интегральная схема малошумящего усилителя с байпас-каналом

0.931

РИД