СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ОКОН В СЛОЕ ЗАЩИТНОГО ОСНОВАНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и направлено на снижение количества выхода из строя приборов в результате обрыва металла и пробоя по поверхности планарных p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является формирование контактных окон с пологим профилем в защитном слое структуры с двойной металлизацией с возможностью проведения разварки над активной областью кристалла высоковольтного прибора. Способ включает формирование диэлектрического слоя полиимида на слое металлизации, осаждение пассивирующего слоя SiO2 или Si3N4, осаждение фоторезиста через маску, подтравливание пассивирующего слоя до полиимида под маску фоторезиста жидко-химическим травлением, плазмохомическое травление поверхности на половинное время вытравливания полиимида, удаление фоторезиста, нанесение фоторезистивного слоя через маску меньшего размера, плазмохимическое травление до металла, удаление фоторезиста, нанесение второго слоя металлизации.