Способ формирования массива ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности полупроводниковых подложек с буферным слоем меди

Разработка относится к области нанотехнологий, а именно к способу создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Способ реализуют в три этапа; на первом этапе по известной методике подготавливают ступенчатую структуру силицида меди формированием ровных ступеней высотой 12±2 нм и шириной 150±50 нм на поверхности Si(111). На втором этапе на поверхность подложки Cu2Si/Si(111) наносят буферный слой меди толщиной 2 нм при скорости осаждения меди 1, 0 нм/мин. На третьем этапе на ступенчатой поверхности подложки Cu/Cu2Si/Si(111) формируют эпитаксиальные массивы ферромагнитных нанопроволок осаждением ферромагнитных металлов со скоростью осаждения 0,3 нм/мин под малыми углами наклона к плоскости подложки в интервале (100 ÷ 300). Полученные массивы нанопроволок с заданными геометрическими параметрами характеризуются совершенным кристаллическим качеством; их ширина определяется углом наклона осаждения металла.