РИД
№ АААА-Г16-616093010044-8Программа расчета спектров межподзонного поглощения в гетероструктуре на основе материала CdHgTe с квантовыми ямами «InterSUBbandMCTAbsQW»
30.09.2016
Программа предназначена для расчёта зависимостей коэффициента поглощения от длины волны падающего излучения инфракрасного диапазона при поглощательных переходах между уровнями размерного квантования электронов в зоне проводимости (межподзонное поглощение) в гетероструктуре с квантовыми ямами на основе материала CdHgTe. Программа обеспечивает функции: расчёт и отображение в графической форме спектров межподзонного поглощения при переходах электронов в зоне проводимости в структуре CdHgTe с квантовыми ямами при различных температурах, концентрациях носителей заряда, толщинах квантовой ямы, составах ямы и барьеров.
ГРНТИ
47.33.33 Оптоэлектронные приборы
47.09.48 Наноматериалы для электроники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
ЭПИТАКСИЯ
CDHGTE
GAINN/GAN
ALGAINP/GAAS
SI
ГРАФЕН
КВАНТОВАЯ ЯМА
GE/SI
КВАНТОВАЯ ТОЧКА
МДП-СТРУКТУРА
ФОТОПРИЁМНОЕ УСТРОЙСТВО
ЛАЗЕР
Детали
НИОКТР
№ АААА-А15-115122110045-7
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Программа расчета спектров межзонного поглощения в гетероструктуре на основе материала CdHgTe с квантовыми ямами «InterbandMCTAbsQW»
0.991
РИД
Программа расчета профилей энергетических зон в варизонной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с одиночной квантовой ямой с учётом зависимости электронного сродства от координаты «AffinityMCTBandQW»
0.927
РИД
Программное обеспечение для расчета спектра поглощения квантовых многоямных наноструктур
0.901
РИД
Программа для ЭВМ 'Спектр поглощения полупроводниковых сверхрешеток'
0.891
РИД
Расчет спектров выжигания долгоживущих провалов в неоднородно уширенном контуре поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами
0.885
РИД
Программа для вычисления частотных и температурных зависимостей коэффициента поглощения света на внутризонных переходах с участием продольных оптических фононов
0.884
РИД
ПРОГРАММНОЕ СРЕДСТВО РАСЧЕТА ТОЛЩИНЫ И СОСТАВА КВАНТОВОЙ ЯМЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ InGaAs/GaAs ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ 976 НМ
0.882
РИД
nBnMCT.CV. Расчет вольт-фарадной характеристики в барьерной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с n-типом проводимости
0.876
РИД
Программа для расчета спектра пропускания носителей заряда через полупроводниковые сверхрешетки
0.875
РИД
nBnMCT.CurrentVC. Расчет вольт-амперной характеристики в барьерной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с n-типом проводимости
0.871
РИД