РИД
№ АААА-Г16-616093010042-4

Программа расчета профилей энергетических зон в варизонной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с одиночной квантовой ямой с учётом зависимости электронного сродства от координаты «AffinityMCTBandQW»

30.09.2016

Программа предназначена для расчёта профилей энергетических зон в гетеростурктуре на основе материала CdHgTe, включающей область с переменным составом и одиночную квантовую яму. Программа обеспечивает функции: расчёт распределения по координате профилей зоны проводимости и валентной зоны; расчёт координатного распределения потенциала в структуре и распределение концентраций носителей заряда, определение энергий уровней размерного квантования в одиночной квантовой яме. Программа при расчётах учитывает координатную зависимость электронного сродства материала CdHgTe от координаты.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
47.33.33 Оптоэлектронные приборы
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
СПЕКТРАЛЬНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
НАНОСТРУКТУРЫ
КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ И РТУТИ
СИЛИЦИД ГЕРМАНИЯ
Детали

НИОКТР
№ 114071440033
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Программа расчета спектров межзонного поглощения в гетероструктуре на основе материала CdHgTe с квантовыми ямами «InterbandMCTAbsQW»
0.928
РИД
Программа расчета спектров межподзонного поглощения в гетероструктуре на основе материала CdHgTe с квантовыми ямами «InterSUBbandMCTAbsQW»
0.927
РИД
nBnMCT.CurrentVC. Расчет вольт-амперной характеристики в барьерной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с n-типом проводимости
0.879
РИД
Программа для моделирования профиля диффузии Zn в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InP с учетом сегрегации
0.879
РИД
Программа для ЭВМ математического моделирования электронной зонной структуры апериодических цепочек квантовых ям
0.875
РИД
nBnMCT.CV. Расчет вольт-фарадной характеристики в барьерной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с n-типом проводимости
0.875
РИД
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.873
РИД
Компьютерная программа для расчёта и построения зонной диаграммы полупроводникового диода на основе немонокристаллического материала с линейным распределением легирующих примесей
0.872
РИД
Программа для ЭВМ "Расчет распределения потенциалов и токов в гетероструктурах в геометрии Ван-дер-Пау"
0.872
РИД
Программа моделирования высокотемпературного равновесия собственных точечных дефектов и паровой фазы CdTe
0.869
РИД