РИД
№ АААА-Г16-616102010017-1Способ получения полупроводниковой наноструктуры
20.10.2016
Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано для синтеза массивов пространственно-упорядоченных наночастиц полупроводников. Способ получения полупроводниковой наноструктуры включает осаждение на пористой матрице первого полупроводникового материала, удаление пористой матрицы, осаждение второго полупроводникового материала на полученную структуру первого полупроводникового материала. Полученные структуры могут быть использованы для создания электролюминесцентных источников, высокоточных детекторов излучения, преобразователей потоков фотонов в электрические сигналы.
ГРНТИ
47.09.48 Наноматериалы для электроники
Ключевые слова
НАНОТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ПОРИСТЫЙ АНОДНЫЙ ОКСИД АЛЮМИНИЯ
ТЕРМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ
ОПТИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук»
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
СПОСОБ СИНТЕЗА НАНОЧАСТИЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
0.929
РИД
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ УПОРЯДОЧЕННОГО МАССИВА НАНОКРИСТАЛЛОВ или НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МАТРИЦЕ
0.920
РИД
Способ локального формирования высокоплотных массивов вертикально ориентированных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
0.918
РИД
Способ получения объемного наноструктурированного материала
0.917
Промышленная инновация
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОЧАСТИЦ
0.917
Промышленная инновация
Способ изготовления наноколончатой гетероструктуры на основе соединений III-N
0.915
РИД
Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
0.913
РИД
Способ формирования регулярных массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
0.910
РИД
СПОСОБ КОЛЛОИДНОГО СИНТЕЗА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ НАНОЧАСТИЦ СВЕРХМАЛОГО РАЗМЕРА СТРУКТУРЫ ЯДРО/ОБОЛОЧКА
0.909
РИД
Способ изготовления полупроводниковых структур
0.909
РИД