СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

Изобретение относится к технологии устройств прямого преобразования солнечного излучения в электрическую энергию, фотонике и нанотехнологиям, например, фотоэлектрическим приборам на основе гетероструктур с квантовыми точками.Сущность изобретения заключается в изготовлении фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками на основе p-i-n наногетероструктуры содержащей последовательно осажденные слои GaAs p-, i-, n-типа проводимости методом ионно-лучевой кристаллизации при температуре 620 °С, ионном токе 1.7 мА, энергии пучка ионов 150 эВ, давлении в камере не менее 10^-6 Па, а также массив из трех вертикально-связанных слоев квантовых точек арсенида индия, сформированный методом ионно-лучевой кристаллизации при температуре 500 °С, ионном токе 0.2 мА, энергии пучка ионов 150 эВ, давлении не менее 10^-6 Па в матрице i-GaAs, антиотражающее покрытие SiO2, нанесенное методом ионно-лучевой кристаллизации при температуре 60 °С, ионным током 2.3 мА и энергией ионов 450 эВ.