Устройство СВЧ плазменной обработки

Изобретение относится к СВЧ плазменным установкам для проведения процессов травления и осаждения слоев – металлов, полупроводников, диэлектриков при пониженных давлениях и может быть использовано в технологических процессах создания полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции.Техническим результатом изобретения является улучшение равномерности обработки кремниевых пластин, упрощение настройки горения плазмы в каждой разрядной трубке.