РИД
№ АААА-Г16-616120210058-6Устройство СВЧ плазменной обработки пластин
02.12.2016
Изобретение относится к СВЧ плазменным устройствам для проведения процессов осаждения и травления слоев – металлов, полупроводников, диэлектриков и может быть использовано в технологических процессах создания полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, работающих в экстремальных условиях.Техническим результатом полезной модели является улучшение равномерности обработки и повышение скорости формирования слоев.
ГРНТИ
47.13.10 Технология и оборудование для производства изделий электронной техники СВЧ-диапазона
Ключевые слова
ПЛАЗМА
ОСАЖДЕНИЕ
ТРАВЛЕНИЕ
ПОЛУПРОВОДНИК
Детали
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ИМЕНИ В.Г. МОКЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Похожие документы
Устройство СВЧ плазменной обработки
0.973
РИД
Устройство СВЧ плазменной обработки материалов
0.938
РИД
Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.920
РИД
Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.920
РИД
Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.917
РИД
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.911
РИД
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.911
РИД
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.911
РИД
Способ СВЧ плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiС)
0.903
РИД
Реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур
0.898
РИД