РИД
№ АААА-Г16-616120810084-9Способ изготовления графеновой плёнки и устройство для реализации этого способа
08.12.2016
Изобретение относится к области химии, и изготовленные графеновые плёнки могут быть использованы в электроники, оптики, фотоники, оптоэлектроники и других смежных областях. На основе изготовленных графеновых плёнок могут быть созданы такие оптоэлектронные приборы как, фотодетекторы, гибкие экраны, прозрачные суперконденсаторы и другие. Способ изготовления графеновой плёнки заключается в реализации широко используемого метода химического газофазного осаждения. Этот метод заключается в нагреве каталитической подложки до высокой температуры (более 800 градусов Цельсия) в среде углеродсодержащего газа. В настоящем изобретении описывается способ реализации метода химического газофазного осаждения для изготовления графеновой плёнки, а также устройство для осуществления этого способа.
ГРНТИ
29.17.01 Общие вопросы
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
ГРАФЕН
ХИМИЧЕСКОЕ ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ
МЕДНАЯ ФОЛЬГА
НИКЕЛЕВАЯ ФОЛЬГА
УСТАНОВКА ДЛЯ СИНТЕЗА ГРАФЕНА.
Детали
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Общество с ограниченной ответственностью "Русграфен"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Способ получения графена
0.948
РИД
Исследование методов получения и свойств графеновых пленок и структур для приборных применений
0.947
ИКРБС
Способ получения пленки графена на подложке
0.947
РИД
Способ получения графена и устройство для его осуществления
0.940
РИД
Cпособ переноса графена с металлической подложки на полимерный материал
0.935
РИД
Устройство для получения структурированного графена
0.935
РИД
Электрохимический способ получения графена
0.932
РИД
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ОКСИДА ГРАФЕНА С ФОРМИРОВАНИЕМ ПОДСЛОЯ ИЗ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК
0.931
РИД
Установка рулонного типа для синтеза графена
0.931
РИД
Получение графена методом диссоциативного испарения (сублимации) поверхности SiC и исследование свойств структур графен/ SiC
0.930
Диссертация