Топология высокотемпературного микроэлектронного КНИ датчика температуры и датчика магнитного поля

авторы: Янушевская Лада Сергеевна, Шляхова Наталия Федоровна, Бобков Валерий Георгиевич, Однолько Александр Борисович.Право обладатель: АО «ПКК Миландр»Область применения: Экспериментальный образец высокотемпературного микроэлектронного датчика магнитного поля применяется для отработки высокотемпературных КНИ микроэлектронных элементов, обеспечивающих функционирование не имеющих мировых аналогов датчиков внешних воздействий в экстремальных температурных условиях и обладающих повышенной чувствительностью.Аннотация: Топология высокотемпературного микроэлектронного КНИ ДТ и ДОсновные функциональные и электрические параметры :- напряжение питания 4,5 - 5,5В;- ток потребления не более 20 мА;- максимальная рабочая температура не менее 225°С;- минимальная рабочая температура 60°С;- максимальная магнитная индукция 5 Тл;- минимальная магнитная индукция, 0,001Тл.ТИМС разработана для производства по КМОП технологии с проектными нормами 0,18 мкм.