Экспериментальный образец СВЧ малошумящего усилителя на широкозонных полупроводниках

07.02.2017

Микросхема предназначена для проведения исследований и разработки комплекса научно-технических и технологических решений, направленных на создание новой СВЧ электронной компонентной базы (ЭКБ) на основе соединений нитрида галлия для изготовления монолитных интегральных схем (МИС) малошумящих усилителей с высокими удельными характеристиками по мощности и низким уровнем шума для современных радиоэлектроных систем связи и радиолокации в диапазоне частот 30–60 ГГц

ГРНТИ

47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона

47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

Ключевые слова

ТРАНЗИСТОРЫ

ПОЛУПРОВОДНИКИ

СВЧ

УСИЛИТЕЛИ

КОММУТАТОР

РАДИОЛОКАЦИЯ

Детали

НИОКТР

№ 114120370007

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Экспериментальный образец СВЧ усилителя мощности на широкозонных полупроводниках

0.993

РИД

Экспериментальные образцы СВЧ транзисторов на широкозонных полупроводниках

0.981

РИД

Экспериментальный образец СВЧ фазовращателя на широкозонных полупроводниках

0.978

РИД