РИД
№ АААА-Г17-617030350014-0Технология изготовления гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP для резонансно-туннельных диодов
03.03.2017
ОКР посвящена разработке конструкции и технологии изготовления гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP для резонансно-туннельных диодов. Приведено теоретическое обоснование выбранной конструкции гетероструктуры и технологии ее изготовления, проведены исследования свойств полученных образцов гетероструктуры.Проведена оценка технического уровня разработанных гетероструктур.Рост гетероэпитаксиальных структур проводится методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Исследование параметров ГС проводилось методом Холла, методом лазерной интерферометрии в режиме реального времени, методом механического профилирования поверхности, методом визуально-оптического контроля.Гетероструктура InAlAs/InGaAs/InP представляет собой определенную последовательность эпитаксиальных слоев, выращенных на подложке InP методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гетероструктура предназначена для изготовления на ее основе резонансно-туннельных диодов.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.17 Проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры
Ключевые слова
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД
КВАНТОВАЯ ЯМА INGAAS
ПОДЛОЖКА INP
INALAS
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ (ПУЧКОВАЯ) ЭПИТАКСИЯ
Детали
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Ожидается
Заказчик
Исполнители
Публичное акционерное общество "Светлана"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Конструкция гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP для резонансно-туннельных диодов
0.996
РИД
Технология изготовления гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP для гетеробиполярных транзисторов
0.980
РИД
Конструкция гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP для гетеробиполярных транзисторов
0.975
РИД
Технология изготовления гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP (GaAs) для транзисторов с высокой подвижностью электронов для СВЧ монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона длин волн
0.968
РИД
Конструкция гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP (GaAs) для транзисторов с высокой подвижностью электронов для СВЧ монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона длин волн
0.963
РИД
Технология изготовления метаморфных и псевдоморфных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP (GaAs) для транзисторов с высокой подвижностью электронов для СВЧ монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона длин волн на установках молекулярно-пучковой эпитаксии российского производства
0.955
РИД
Разработка технологии создания инвертированных наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs, содержащих наноразмерные вставки AlAs в барьерных слоях, перспективных для создания полупроводниковых устройств крайне высоких частот
0.952
НИОКТР
Технология эпитаксиального выращивания наногетероструктур InGaAs/InAlAs на подложках InP со вставками InAs в канале для приборов СВЧ электроники (диапазон свыше 100 ГГц)
0.951
РИД
Разработка технологии создания инвертированных наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs, содержащих наноразмерные вставки AlAs в барьерных слоях, перспективных для создания полупроводниковых устройств крайне высоких частот
0.951
ИКРБС
Технология изготовления гетероструктуры GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением для СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток Х-диапазона
0.945
РИД