Конструкция гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP (GaAs) для транзисторов с высокой подвижностью электронов для СВЧ монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона длин волн

ОКР посвящена разработке конструкции и технологии изготовления метаморфных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP (GaAs) для транзисторов с высокой подвижностью электронов. Рост гетероэпитаксиальных структур проводится методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на промышленной многоподложечной установке.Гетероструктура представляет собой многослойную эпитаксиальную структуру на полуизолирующей подложке из арсенида галлия на основе соединений А3В5 с высокой молярной долей арсенида индия в канале, с двусторонним легированием канала, со следующей последовательностью основных слоев: метаморфный буферный слой InGaAlAs, буферный слой InAlAs, сильнолегированный донорный слой InAlAs n-типа, нелегированный слой InGaAs (канал), сильнолегированные донорные слои InAlAs n-типа, между которыми заключен слой с дельта-легированием атомами Si (n-типа), нелегированный барьерный слой InAlAs, сильнолегированный контактный слой InGaAs n-типа.