Конструкция полупроводникового дискового лазера (λ=2,2 мкм)

ОКР посвящена разработке конструкции и технологии изготовления полупроводниковых лазеров и светодиодов, полупроводниковых дисковых лазеров средней ИК области спектра на основе лазерных и светодиодных гетероструктур InGaAsSb/GaSb и InAsSb/InAs.Целью работы являлось создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий оптоэлектроники нового поколения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств-участников Союзного государства, в том числе импортозамещающих изделий, по своим количественным характеристикам и параметрам отвечающих перспективным требованиям по длинам волн, удельным мощностям, срокам службы, и другим эксплуатационным характеристикам и конкурентной продукции рынков государств- участников Союзного государства и мирового сообщества.Разработана технологическая документация и конструкторская документация для создания таких приборов.