Конструкция лазерной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для мощных полупроводниковых импульсных лазеров ИК-диапазона

25.04.2017

ОКР посвящена разработке конструкции и технологии изготовления лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и туннельно-связанных лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений и мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на их основе.Целью работы являлось создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий оптоэлектроники нового поколения специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств-участников Союзного государства, в том числе импортозамещающих изделий.Разработана конструкция лазерной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs, включающая конструкции асимметричных гетероструктур с низкими оптическими потерями для генерации излучения на длинах волн в диапазоне 800 -1100 нм.

ГРНТИ

47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона

47.14.17 Проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры

Ключевые слова

ГЕТЕРОСТРУКТУРА ЛАЗЕРНАЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ

ЛАЗЕРНЫЕ ДИОДЫ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А16-116112410008-9

Тип РИД