РИД
№ АААА-Г17-617050410105-4Способ изготовления фазовых дифракционных решеток, микроструктур и контактных масок
04.05.2017
Способ относится к оптическому приборостроению и может быть использован для создания дифракционных оптических элементов видимого и ультрафиолетового диапазона - линз Френеля, фокусаторов, корректоров и др. Способ включает в себя магнетронное осаждение пленки молибдена толщиной не менее 15 нм на поверхность диэлектрической подложки, формирование топологического рисунка оптического элемента с последующей выдержкой в муфельной печи при определенной температуре в течение 0,5-3,5 мин. Способ позволяет термическим окислением формировать фазовый микрорельеф на поверхности подложки без применения ионно-реактивного травления, что позволяет сократить продолжительность технологического цикла и снизить себестоимость изготовления фазовых дифракционных решеток, микроструктур и контактных масок.
ГРНТИ
27.35.33 Математические модели электродинамики и оптики
29.31.15 Излучение и волновая оптика
Ключевые слова
ДИФРАКЦИОННЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ
ФАЗОВЫЙ МИКРОРЕЛЬЕФ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Институт систем обработки изображений РАН – филиал Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук»
Заказчик
Федеральное агентство научных организаций
Похожие документы
Способ изготовления фазовых дифракционных микроструктур
0.952
РИД
Способ изготовления дифракционных оптических элементов
0.932
РИД
Способ изготовления амплитудных дифракционных микроструктур и контактных масок
0.929
РИД
Способ формирования тонкопленочных микро- и наноструктур
0.920
РИД
Способ изготовления дифракционной решетки на полимерной основе
0.916
РИД
Способ формирования периодического рисунка на поверхности аморфных тонких пленок фазопеременных халькогенидных материалов
0.912
РИД
Разработка метода формообразования маски с помощью высаживания коллоидных частиц для травления микротекстур и способа создания просветляющих микротекстур на рабочих гранях лазерных кристаллов (промежуточный, этап 2)
0.907
ИКРБС
Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия
0.906
РИД
Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
0.904
РИД
Способ формирования фоторезистивной маски
0.902
РИД