РИД
№ АААА-Г17-617060810041-0

Пироэлектрическая квадрупольная линза

08.06.2017

Полезная модель пироэлектрическая квадрупольная линзаотносится к электронной оптике и может быть использована для фокусировки пучков заряженных частиц (электронов, ионов, протонов, позитронов) в различной ускорительной технике: медицинских ускорителях, устройствах досмотрового контроля, в исследовательских ускорителях, таких как коллайдеры, синхротроны и т.д.. Линза содержит четыре модуля, которые расположены друг напротив друга попарно, таким образом, что одна пара модулей перпендикулярна другой. Каждый из модулей содержит пироэлектрический кристалл, элемент Пельтье и два теплопровода. Питание всех элементов Пельтье осуществляется параллельно одним источником напряжения.
ГРНТИ
29.15.53 Физика ядерных реакторов
Ключевые слова
ЭЛЕКТРОННАЯ ОПТИКА
ФОКУСИРОВКА
ПУЧКИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
ЭЛЕКТРОНОВ
ИОНОВ
ПРОТОНОВ
ПОЗИТРОНОВ
УСКОРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Детали

Тип РИД
Полезная модель
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Пироэлектрический холодный катод с кольцевым поверхностным электродом
0.884
РИД
Устройство для компрессии пространства взаимодействия пучков заряженных частиц и электромагнитного излучения
0.875
РИД
Способ создания двухразмерного квадрупольного поля с помощью цилиндрических электродов
0.866
РИД
Патент на изобретение № 2659717 "ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПИКСЕЛЬНЫЙ ДЕТЕКТОР ЗАРЯЖЕННЫХ СИЛЬНО ИОНИЗИРУЮЩИХ ЧАСТИЦ (МНОГОЗАРЯДНЫХ ИОНОВ)"
0.852
РИД
Плазмонный магнитофотонный кристалл
0.852
РИД
Устройство для одновременного вывода и деления пучков заряженных частиц изогнутыми монокристаллами, Патент № 116679
0.849
РИД
Магнитоплазмонный кристалл
0.848
РИД
Пироэлектрический ондулятор
0.848
РИД
Многослойный газовый электронный умножитель, патент № 2383035
0.848
РИД
Генератор ионизирующего излучения на основе периодического варьирования температуры пироэлектрического кристалла (варианты)
0.848
Промышленная инновация