Магнитооптический модулятор интенсивности света

Магнитооптический модулятор содержит плоскую диэлектрическую подложку, на которой расположена магнитооптическая активная среда в виде плоского оптического волновода, на поверхность которого нанесен буферный диэлектрический слой наноразмерной толщины, источник магнитного поля в виде плоского проводника, расположенный поперечно направлению света поверх буферного слоя на первой с входного торца части оптического волновода, металлическую пленку расположенную поверх буферного слоя на второй части оптического волновода. Буферный диэлектрический слой выполнен в виде клина переменной толщины, причем толщина клина изменяется от 5 до 30 нм относительно боковых граней волновода поперечно направлению распространения света, что обеспечивает более высокую функциональность за счет возможности работы как минимум на двух длинах волн.