Гетероструктура полупроводникового лазера

Полезная модель относится к оптоэлектронной технике и может быть использована для изготовления полупроводниковых инжекционных лазеров ближнего инфракрасного диапазона. Гетероструктура полупроводникового лазера состоит из последовательно расположенных на подложке InP первого эмиттерного слоя, выполненного из InAlAs, волноводного слоя, выполненного из AlInGaAs и содержащего квантовые ямы InGaAs, , второго эмиттерного слоя, выполненного из InAlAs. Перед каждой квантовой ямой в нелегированном волноводном слое со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью n-типа, дополнительно расположен дельта-легированный слой n-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для дырок, а после квантовой ямы со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью р-типа дополнительно расположен дельта-легированный слой р-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для электронов. Расстояние между δ-легированным слоем и квантовой ямой составляет 10-30 нм.