РИД
№ АААА-Г17-617110320018-6

ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО СО СБАЛАНСИРОВАННЫМИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ р- И n-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЕТВЕЙ

03.11.2017

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, в частности к устройствам для охлаждения компьютерных процессоров. Техническим результатом является повышение эффективности системы охлаждения. Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей выполнено в виде термоэлектрического устройства, причем полупроводниковые ветви p- и n- типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами, а сам термомодуль изготовлен в виде тонкой пленки на обратной стороне кристалла компьютерного процессора для интенсификации процесса теплопереноса через подложку на теплоотвод, в результате чего джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, а также достигается идентичность сопротивлений полупроводниковых ветвей
ГРНТИ
47.03.05 Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники
Ключевые слова
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
ТЕРМОМОДУЛЬ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
СИСТЕМЫ ОХЛАЖДЕНИЯ
Детали

НИОКТР
№ 114070240001
Тип РИД
Изобретение
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации