РИД
№ АААА-Г18-618022890017-8Компьютерное моделирование явлений электроформовки и резистивного переключения в мемристивной структуре на основе стабилизированного диоксида циркония
28.02.2018
Программа предназначена для моделирования явлений электроформовки и резистивного переключения филаментов (проводящих каналов) в мемристивной структуре на основе стабилизированного диоксида циркония. Моделируется методом Монте-Карло движение вакансий кислорода в структуре под действием электрического поля и температуры. При этом учитываются такие факторы, как: изменение формы филамента и удельного сопротивления вдоль филамента, ионный обмен на границе диэлектрик / металл. Кроме того, в ходе моделирования после значимых изменений характеристик структуры происходит перерасчет распределений электрического поля и температуры в структуре с учетом выделения джоулева тепла при протекании тока через филамент. Разработанная программа построена по модульному типу таким образом, что каждому физическому процессу соответствует свой модуль. Это позволяет при необходимости вносить уточнения в используемые модели.
ГРНТИ
34.55.21 Изучение, моделирование и имитация сложных процессов обработки информации у человека
Ключевые слова
МОДЕЛИРОВАНИЕ
МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО
РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
МЕМРИСТИВНАЯ СТРУКТУРА
СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ДИОКСИД ЦИРКОНИЯ
Детали
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Область применения программы для ЭВМ – приложения для исследовательских расчетов адаптивного поведения сопротивления мемристивных структур, необходимого для их применения в нейроморфных системах.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
Заказчик
Российский научный фонд
Похожие документы
Программа численного моделирования процесса электроформовки в мемристорных структурах на основе оксида гафния
0.930
РИД
Программа расчета ионного и электронного токов, а также фононной кинетики в процессе электроформинга в мемристивных структурах на основе стабилизированного диоксида циркония (MemResearch)
0.929
РИД
Программа для расчета вольт-амперных характеристик мемристоров
0.887
РИД
Программа физико-топологического моделирования функционально интегрированного СВЧ-коммутатора с управляемой передислокацией максимума плотности электронов
0.886
РИД
Программа расчета параметров резистивного переключения мемристорных структур на основе оксидов металлов
0.885
РИД
Компьютерное исследование биполярных резистивных переключений в гетероструктурах на основе YBCO с помощью модели критического поля.
0.882
РИД
Программа для компьютерного моделирования деформации и разрушения наноструктурированных поверхностных слоёв металлокерамических композиционных материалов с явным учётом структурных элементов микро- и наноскопического масштабов на основе метода подвижных клеточных автоматов
0.881
РИД
Программа раcчета параметров резистивного переключения мемристорных структур на основе оксидов металлов
0.880
РИД
Программа для расчета распределения кислородных вакансий в наноразмерных мемристивных пленках оксидов металлов
0.879
РИД
Программа для расчета распределения кислородных вакансий в наноразмерных мемристивных пленках оксидов металлов
0.879
РИД