Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки

07.03.2018

Предложен способ получения пленки фоторезиста из раствора методом аэрозольного итерационного распыления в потоке газа, при чем приготовление раствора фоторезистивного материала осуществляется путем добавления к исходному раствору фоторезиста растворителя, имеющего температуру кипения в диапазоне от 160 °С до 175 °С.

ГРНТИ

47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники

Ключевые слова

ФОТОРЕЗИСТ

АЭРОЗОЛЬНОЕ НАНЕСЕНИЕ

ИТЕРАЦИОННОЕ НАНЕСЕНИЕ

МЭМС

ОДНОРОДНОЕ ПОКРЫТИЕ

Детали

НИОКТР

№ 115122450029

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Формирование фоторезистивных пленок однородных по толщине, пригодных для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки с применением растворителей с высокой температурой кипения

0.970

РИД

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ИЗ РАСТВОРА С ПРИМЕНЕНИЕМ РАСТВОРИТЕЛЕЙ С НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ КИПЕНИЯ

0.964

РИД

Способ получения фоторезистивного слоя на различных подложках

0.963

РИД