РИД
№ АААА-Г18-618103190010-2

Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах

31.10.2018

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п., в т.ч. работающих при низких температурах и воздействии радиации.Технический результат: создание условий, при которых в заявляемом дифференциальном усилителе (ДУ) обеспечивается:более высокая стабильность статического режима ДУ при отрицательных температурах (до -197̊С) и изменении напряжений питания (в сравнении с ДУ-прототипом на основе классических источников опорного тока);возможность изменения напряжения ограничения проходной характеристики (Uгр) по усмотрению разработчика (в зависимости от заданных значений SR) при фиксированном статическом токопотреблении.
ГРНТИ
47.01.01 Руководящие материалы
Ключевые слова
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Детали

Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Быстродействующие электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций; предприятия и организации, занимающиеся разработкой и производством аналоговой электронной компонентной базы нового поколения.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"
Заказчик
Российский научный фонд
Похожие документы
Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
0.984
РИД
Дифференциальный усилитель на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
0.972
РИД
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с повышенной температурной стабильностью статического режима
0.969
РИД
Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с повышенной стабильностью статического режима
0.969
РИД
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
0.968
РИД
Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляемым напряжением ограничения проходной характеристики
0.964
РИД
Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах
0.956
РИД
Входной каскад дифференциального операционного усилителя с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах
0.952
РИД
Дифференциальный каскад класса АВ с нелинейным параллельным каналом
0.952
РИД
Дифференциальный операционный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
0.949
РИД