РИД
№ АААА-Г19-619031290025-0Топология микросхемы датчика поля
12.03.2019
Топология кристалла микросхемы спроектирована по биполярному технологическому маршруту уровня 1,4 мкм с эпитаксией, изоляцией p-n переходом, двухуровневой металлизацией и тонкопленочными резисторами. Микросхема содержит следующие основные функциональные блоки: преобразователь магнитного поля в напряжение (счетверенный датчик Холла), буферный усилитель, основной усилитель сигнала, цепи подстройки усиления сигнала и напряжения смещения на основе пережигаемых перемычек.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК
МАГНИТНОЕ ПОЛЕ
ЭФФЕКТ ХОЛЛА
МИКРОСХЕМА
ПРОТОКОЛ СВЯЗИ
Детали
Тип РИД
Топология интегральных микросхем
Сферы применения
Микросхема предназначена для линейного преобразования внешнего магнитного поля в выходное напряжение.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Общество с ограниченной ответственностью "ИДМ-ПЛЮС"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Интегральная микросхема микросенсорного устройства магниточувствительной системы
0.914
РИД
Топология микросхемы датчика Холла
0.910
РИД
Топология сенсора на магниторезистивном эффекте
0.903
РИД
Интегральная микросхема с элементами Холла и схемами считывания
0.898
РИД
Топология макета магниторезистивного преобразователя магнитного поля с самосовмещенными слоями
0.897
РИД
Топология магниторезистивного преобразователя магнитного поля с самосовмещенными слоями и межслойным изолятором
0.894
РИД
Топология магниторезистивного преобразователя тока
0.893
РИД
Топология магниторезистивного преобразователя-градиометра на основе тонкопленочных магнитострикционных наноструктур
0.887
РИД
Топология интегральной микросхемы
0.884
РИД
Интегральная микросхема 3х-осевого датчика магнитного поля на эффекте Холла
0.883
РИД