Способ изготовления омического контакта к AlGaN/GaN

Изобретение относится к технологии сверхвысокочастотной (СВЧ) микроэлектроники, а именно к технологии формирования мощных GaN транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем (СВЧ МИС) на их основе и, в частности, к созданию термостабильных низкорезистивных омических контактов (OК) к гетеропереходам AlGaN/GaN. Поверхность полупроводниковой кремниевой пластины с эпитаксиальной гетероструктурой AlGaN/GaN подвергается химической очистке с формированием двухслойной фоторезистивной маски с последующим плазмохимическим травлением рецесса (заглубления) в барьером слое на основе AlGaN. Далее производится последовательное осаждение тонких плёнок барьерообразующего слоя на основе тантала (Ta) толщиной 5 – 100 нм, слоя проводника на основе алюминия (Al) толщиной 5 – 1000 нм и верхнего защитного слоя на основе тантала (Ta) толщиной 5 – 1000 нм. При этом осаждение пленки проводника производится методом электронно-лучевого испарения, а пленок барьерообразующего.