РИД
№ АААА-Г19-619042990006-8Программа для моделирования роста наноструктур индия методом капельной эпитаксии на подложке GaAs с углублениями полусферической формы
29.04.2019
Программа для моделирования роста наноструктур индия методом капельной эпитаксии на подложке GaAs с углублениями полусферической формы. Программно-реализованная модель позволяет учесть межатомное взаимодействие частиц в семи координационных сферах на основе потенциала Леннарда-Джонса и плотность упаковки атомов в формируемых структурах. Функциональные возможности программы включают исследование возможностей селективного позиционирования островков In, исследование формы наноструктур в пределах углублений и на плоских участках подложки, определение приоритетных позиций для нуклеации островков, вычисление геометрических параметров наноструктур, расчет степени заполнения углублений осаждаемым материалом в зависимости от технологических параметров.
ГРНТИ
47.13.06 Технология и оборудование для производства приборов и устройств квантовой электроники
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
НАНОФОТОНИКА
НАНОСТРУКТУРЫ
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Детали
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Областью применения программы: молекулярно-лучевая эпитаксия наностуктур In/GaAs, а также эпитаксия полупроводниковых соединений, технология изготовления приборов на основе GaAs.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Программа для моделирования процессов формирования наноструктур In/AlGaAs(001) методом капельной эпитаксии
0.976
РИД
Программа для моделирования эпитаксиального роста наноструктур In на подложке GaAs(001) с модифицированными участками треугольной формы
0.962
РИД
Программа для кинетического моделирования формирования наноструктур In/GaAs(001) методом капельной эпитаксии
0.960
РИД
Программа для моделирования процессов роста на подложке с прямоугольными углублениями при капельной эпитаксии In/GaAs(001)
0.959
РИД
Кинетическое моделирование физических процессов при росте наноструктур In/AlGaAs методом капельной эпитаксии на подложках, модифицированных участками прямоугольной формы
0.956
РИД
Моделирование процессов капельной эпитаксии наноструктур In/GaAs на подложке с модифицированными участками трапециевидной формы
0.947
РИД
Программа для моделирования процессов формирования нанокапель In на подложках, модифицированных треугольными углублениями, с учетом влияния доли атомов Al в эпитаксиальном слое
0.939
РИД
Моделирование процессов формирования массивов наноструктур In/GaAs с низкой поверхностной плотностью методом капельной эпитаксии на структурированных поверхностных слоях
0.936
РИД
Гибридная модель синтеза упорядоченных наноструктур In/AlGaAs на комплексных поверхностях с различной огранкой
0.923
РИД
Программа для моделирования роста GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs(110)
0.919
РИД