Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена

Изобретение относится к способам получения двумерных ферромагнитных материалов, а именно GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированных гадолинием слоев силицена. Техническим результатом заявленного изобретения является создание технологии формирования двумерного ферромагнитного материала GdSi2 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии, который может быть востребован для получения слоев силицена, при исследовании спин-зависимых явлений в силиценовой решетке, и имеет потенциал применения в компактных устройствах спинтроники. Способ заключается в осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного потока гадолиния с давлением PGd=(0,1÷10)•10-8 торр на предварительно очищенную и нагретую до Ts=350÷450 °С поверхность подложки Si(111) до формирования пленки дисилицида гадолиния требуемой толщины, но не более 7 нм. При этом слой силицида образуется за счет диффузии атомов.