Сегнетоэлектрический керамический материал

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим керамическим материалам на основе феррита висмута и может быть использовано при создании емкостных магнитоэлектрических элементов головок записи и считывания информации. Технический результат - снижение значений относительной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, повышение стабильности диэлектрических характеристик. Сегнетоэлектрический керамический материал содержит оксиды Bi2О3, Fe2O3, и TiO2, при следующем соотношении исходных компонентов, в мас.%: Bi2O3 72.80-73.52, Fe2O3 25.72-25.98, TiO2 0.50-1.48. 2 табл.