Способ получения сегнетоэлектрических пленок Ba1-хSrxTiO3

Способ получения сегнетоэлектрической пленки относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок для мощной сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава Ba1-хSrxTiO3 на подложку карбида кремния в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 700-900°С, в течение времени, достаточного для создания сплошного сегнетоэлектрического слоя. На втором этапе процесс распыления прекращается и повышается температура подложки на время, достаточное для отжига сплошного сегнетоэлектрического слоя, по окончании процесса отжига температура подложки понижается до температуры первого этапа, прочие технологические параметры не изменяются. Затем этапы повторяются несколько раз, для получения необходимой толщины сегнетоэлектрической пленки. Техническим результатом является высокая диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрической пленки при низких диэлектрических потерях наподложке с высокой теплопроводн