Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя включает напыление на гетероструктуру A3B5 основы фронтального омического контакта через первую фоторезистивную маску с рисунком фронтального омического контакта и основы тыльного омического контакта, термообработку полученной структуры, формирование фронтального омического контакта через вторую фоторезистивную маску и тыльного омического контакта путем электрохимического осаждения золота в импульсном режиме при частоте импульсного сигнала 30-200 Гц, коэффициенте заполнения 0,2-0,5 сначала при плотности тока 0,002-0,005 мА/мм2 1-2 минуты, а затем при плотности тока 0,02-0,05 мА/мм2 до заданной толщины. Фронтальный омический контакт формируют через вторую фоторезистивную маску с суженным на 0,5-1 мкм рисунком фронтального омического контакта. Изобретение позволяет улучшить фотоэлектрические параметры фотоэлектрического преобразователя за счет уменьшения омических потерь.