Способ электрохимического осаждения кремний – углеродных пленок на диэлектрические подложки

Способ электрохимического осаждения кремний - углеродных пленок на диэлектрические подложки, заключающийся в электрохимическом осаждении кремний - углеродных пленок из органического кремний- и углеродсодержащего электролита, состоящего из гексаметилдисилазана в метиловом или этиловом спирте, на диэлектрическую подложку, расположенную на катоде, на который относительно анода подается напряжение до 600 В с плотностью тока до 70 мА/см2, в установлении расстояния между катодом и анодом до 1 см, в наличии связи Si - C (фаза карбида кремния) в получаемых кремний-углеродных пленках, отличающийся тем, что на диэлектрической подложке из слоя электропроводящего материала формируется специальная топология, представляющая собой набор электропроводящих площадок различной геометрической формы с зазором между ними до 200 мкм, в котором происходит осаждение кремний – углеродных пленок и их непосредственный контакт с поверхностью диэлектрической подложки