Устройство полупроводникового светодиода

Полезная модель относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, устройствам полупроводниковых светодиодов.Задачей, является создание конструкции светодиода с увеличенной эффективностью вывода излучения из объема кристалла.Задача решается тем, что в устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины на которой закреплен слой прозрачных частиц с большим чем у окружающей среды коэффициентом преломления N и светогенерирующая область, в соответствии с полезной моделью слой прозрачных диэлектрических частиц выполнен в форме монослоя частиц с коэффициентом перекрытия слоя δ, лежащего в диапазоне примерно от 0,6 до 0,9, где δ = Sp/S, Sp – сумма проекций всех частиц на плоскость, перпендикулярную направлению распространения излучения, S – площадь слоя, частицы имеют относительный коэффициент преломления лежащего в диапазоне порядка от 1,2 до 1,7 и с характерным размером порядка длины волны используемого излучения.