РИД
№ АААА-Г19-619110190031-4Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное
01.11.2019
Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.
ГРНТИ
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.29 Сверхпроводники
29.19.21 Влияние облучения на свойства твердых тел
Ключевые слова
КОНТРОЛИРУЕМОЕ УМЕНЬШЕНИЕ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА
СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ НАНОРАЗМЕРНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ ПЛЕНКИ
ИОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ
НАНОПРОВОДА
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ формирования сверхпроводящих функциональных элементов электронных устройств, имеющих области с различными значениями плотности критического тока
0.907
РИД
Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент
0.886
РИД
Сверхпроводящая цепь с участками слабой связи
0.870
РИД
Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе в одном технологическом процессе
0.867
РИД
Способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводника состава Bi-2223
0.864
РИД
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КЛЮЧ
0.863
РИД
Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке
0.861
РИД
Электронно-переключаемая сверхпроводимость в слоистых материалах: от концепций к устройствам
0.859
НИОКТР
Наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств
0.859
РИД
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ НА КВАРЦЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
0.859
РИД