Способ получения тонких слоев силиката висмута

Изобретение относится к технологии изготовления тонких слоев силиката висмута, которые обладают высокой диэлектрической постоянной. Способ осуществляют путем плазменно-электролитического оксидирования поверхности титана в силикатном электролите, содержащем Na2SiO3, в униполярном гальваностатическом режиме при эффективной плотности тока 0,20-0,25 А/см2 в течение 10-15 мин с последующей пропиткой сформированного слоя раствором основного азотнокислого висмута в расплаве канифоли, разбавленным скипидаром, и пиролизом при температуре 650-700°C. Технический результат - сокращение времени осуществления способа, упрощение способа и его аппаратурного оформления.