РИД
№ АААА-Г20-620012490011-6

Конструкция держателя для создания сверхпроводящего контакта из ВТСП лент второго поколения

24.01.2020

В ноу-хау описана конструкция держателя, позволяющего создавать сверхпроводящий контакт для ВТСП лент второго поколения
ГРНТИ
47.09.39 Сверхпроводящие материалы
29.19.29 Сверхпроводники
45.09.33 Сверхпроводниковые материалы
Ключевые слова
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КОНТАКТ
Детали

Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
Создание магнитных систем на основе ВТСП лент второго поколения
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ формирования сверхпроводящего слоя с однородными по длине электрическими характеристиками для ВТСП лент 2-го поколения на подложках из нержавеющей стали
0.901
РИД
Создание импульсно намагничиваемых сверхпроводящих магнитных систем со слабозатухающим током на основе ВТСП лент второго поколения
0.900
НИОКТР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ЛЕНТ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ
0.896
РИД
Самоорганизующиеся двухфазные нано-структурированные пленки как основа создания ВТСП-материалов второго поколения с повышенной устойчивостью в магнитных полях
0.893
НИОКТР
Исследование и моделирование свойств элементов магнитных систем, изготовленных из высокотемпературных сверхпроводящих лент 2-го поколения, и обоснование перспективных конструкций сверхпроводящих устройств на их основе.
0.891
НИОКТР
Способ изготовления низкорезистивных токовых терминалов для геликоидального сильноточного токонесущего элемента из ВТСП лент 2-го поколения
0.891
РИД
Создание импульсно намагничиваемых сверхпроводящих магнитных систем со слабозатухающим током на основе ВТСП лент второго поколенияПромежуточный, этап 1
0.886
ИКРБС
Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке
0.884
РИД
Технология изготовления полномасштабных обмоток из ВТСП лент второго поколения для электромеханических преобразователей энергии
0.884
РИД
Установка для лужения высокотемпературных сверхпроводников второго поколения
0.884
РИД