РИД
№ АААА-Г20-620020490115-6Прозрачный гетеропереход на основе оксидов
04.02.2020
Полезная модель представляет собой структуру и выбор материалов для изготовления прозрачного гетероперехода, в котором оба слоя n- и p- типа проводимости изготавливаются методом золь-гель технологии. Предложенные структура и состав устройства обеспечивают улучшение планарности границы гетероперехода, тем самым увеличивая значение оптического пропускания гетероструктуры в видимом и ближнем ИК диапазонах.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
ПРОЗРАЧНЫЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОД
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Детали
Тип РИД
Полезная модель
Сферы применения
Дисплеи мобильных устройств, способные осуществлять их дополнительную подзарядку, а также покрытия стекол для создания источника дополнительной солнечной энергии.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИТМО"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света и способ его изготовления
0.920
РИД
Технология получения прозрачных проводящих антибликовых покрытий на основе наноструктурированного ITO
0.901
РИД
Полупрозрачный солнечный элемент на основе композита полимера и галогенидного перовскита, методы его изготовления и эксплуатации.
0.898
РИД
Полупрозрачный солнечный элемент на основе композита полимера и галогенидного перовскита, методы его изготовления и эксплуатации.
0.898
РИД
Разработка прозрачного электрода на основе структуры оксид/металл/оксид
0.895
РИД
Разработка тонкопленочного прозрачного полевого транзистора для системы коммутации в прозрачных дисплеях
0.890
ИКРБС
Разработка гибких гибридных наноструктур с гетеропереходами для оптоэлектроники: изготовление проводящих слоев и улучшение проводимости изготовленных пленок
0.889
ИКРБС
Прозрачный проводящий оксид
0.887
РИД
Тонкопленочный органический транзистор
0.887
РИД
Технологии слоев органических и неорганических материалов со сложным рельефом поверхности с заданными электрическими и оптическими характеристиками для перспективных элементов микро- и наноэлектронных систем (заключительный)
0.887
ИКРБС