Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов

Заявляемое изобретение относится к технологии получения перовскитных структур для тонкопленочных оптоэлектронных устройств, а именно к технологии химического осаждения тонких пленок со структурой перовскита c химической формулой APbX3, где A является CH3NH3 + , (NH2)2CH+, C(NH2)3+, Cs+ или их смесь; анионом X3 – галогенидные элементы ряда I; Br; Cl или их смесь, из паров химических веществ на плоскую подложку в технологических процессах производства светодиодов, солнечных элементов и фотодетекторов со спектральным диапазоном от 400 до 780 нм, запрещенной зоной от 3,1 до 1,57 эВ.Сущность изобретения заключается в упрощении технологического процесса производства, а именно одностадийного и малоотходного способа получения фотоактивных материалов со структурой перовскита без использования растворителей, методом химического осаждении из газовой фазы, путем нагрева и испарения AX и PbX2