Детектор с усилением на основе гетеробиполярного транзистора

Использование: для изготовления детектора излучения. Сущность полезной модели заключается в том, что детектор с усилением на основе гетеробиполярного транзистора содержит n+-подложку, на обратной стороне которойсформирован омический контакт, на рабочей стороне подложки последовательно сформированы эпитаксиальный i-слой высокоомного коллектора, эпитаксиальный p-слой базы, толщина которого много меньше диффузионной длины электронов, эпитаксиальный i-слой гетероэмиттера толщиной много меньше длины амбиполярной диффузии, гетероэпитаксиальный n+-слой широкозонного полупроводника, и узкозонный контактный n+-слой етероэмиттера, к узкозонному контактному n+-слою гетероэмиттера сформирован омический контакт.