РИД
№ АААА-Г20-620032590081-6Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена
25.03.2020
Изобретение относится к областям формирования тонких пленок, микро- и наноэлектроники, спинтроники. В изобретении описан способ получения двумерных ферромагнитных материалов, а именно EuGe2 и GdGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием (гадолинием) многослойного германена. Пленки EuGe2 и GdGe2 формируются методом молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях сверхвысокого вакуума
ГРНТИ
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.39 Ферромагнетики
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
СПИНТРОНИКА
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
ГЕРМАНЕН
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
ДВУМЕРНЫЙ ФЕРРОМАГНЕТИЗМ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Микро- и наноэлектроника, спиновая электроника, изготовление спинового транзистора.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ создания материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда
0.955
РИД
Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием
0.936
РИД
Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена
0.934
РИД
Способ создания магнитного монослойного металла
0.924
РИД
Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия на графене
0.914
РИД
Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене
0.908
РИД
Газофазный синтез, микроструктура и физические свойства тонких пленок и мультиферроидных тонкопленочных гетероструктур на основе гексагональных ортоферритов редкоземельных элементов
0.908
НИОКТР
Способ формирования эпитаксальных гетероструктур EuO/Ge
0.903
РИД
Формирование и диагностика наноразмерных многослойных гетерокомпозиций полупроводниковых и магнитных материалов для создания функциональных элементов электроники и спинтроники
0.903
ИКРБС
Эпитаксиальная интеграция пленок EuO с кремнием и свойства полученных гетероструктур
0.902
Диссертация