Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния

18.06.2020

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. При нагреве мелкодисперсного алмазного порошка в вакуумной среде и в присутствии внешнего электрического поля на полированной поверхности подложки из монокристаллического кремния наблюдается появление твердого слоя, который диагностируется как алмазный.

ГРНТИ

29.17.25 Анизотропные жидкости. Жидкие кристаллы

29.19.11 Дефекты кристаллической структуры

31.15.33 Электрохимия

Ключевые слова

АЛМАЗ

ПОДЛОЖКИ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А17-117121120051-6

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук

Заказчик

Федеральное агентство научных организаций

Похожие документы

Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза

0.952

РИД

Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

0.938