РИД
№ АААА-Г20-620082490011-9Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур
24.08.2020
Задачей настоящего изобретения является обеспечение отечественных полупроводниковых производств производительным и прецизионным технологическим оборудованием с расширенными функциональными возможностями и предназначенного для выполнения технологических операций при изготовлении современных полупроводниковых приборов уровня 0,65-0,45 нм с использованием подложек диамером более 100 мм.
ГРНТИ
47.13.19 Прочие технологические процессы и оборудование в производстве радиоэлектронной аппаратуры
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
обработка полупроводниковых структур
травление технологических материалов
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур относится к области технологических устройств для травления технологических материалов в области производства изделий электронной техники и может быть использован для проведения высокоаспектных процессов травления кремния в производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
Заказчик
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
Похожие документы
Реактор для плазмохимической обработки полупроводниковых структур
0.958
РИД
Реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур
0.956
РИД
Разработка и изготовление промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического травления (ПХТ) кластерного типа с технологическими модулями: - модуль травления металлов; - модуль ICP RIE анизотропного высокоселективного травления кремния и поликремния; - модуль удаления фоторезистивных и полимерных слоев; - модуль травления высокоаспектных диэлектрических структур и роботизированной системой транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров
0.917
НИОКТР
Устройство для травления полупроводниковых структур
0.916
РИД
Плазмохимический реактор низкого давления, обеспечивающий плазму высокой плотностидля осуществления процесса в виде травления и осаждения
0.911
РИД
Разработка и производство промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического осаждения (ПХО) на базе кластерной системы с технологическими модулями: - модуль PECVD осаждения нитрида кремния; - модуль PECVD осаждения оксида кремния (SiH4/N2O); - модуль PECVD осаждения оксида кремния (TEOS); - модуль субатмосферного осаждения оксида кремния из TEOS/03 и роботизированной системы транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров
0.900
НИОКТР
Устройство СВЧ плазменной обработки
0.898
РИД
Плазмохимический реактор для получения и обработки наноразмерных структур в наноэлектронике
0.896
НИОКТР
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.893
РИД
СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
0.892
РИД